近日，光电工程学院张彤博士在国际知名期刊《Applied Surface Science》上在线发表了最新研究成果，张彤博士为第一作者，枣庄学院光电工程学院为第一完成单位。

现代电子电路中，为了使失效安全和电路结构设计简单，通常采用P型半导体耗尽AlGaN / GaN异质结构中二维电子气（2DEG）的方法使阈值电压达到正开启（常关）状态，由于目前微纳加工中P型GaN刻蚀技术难以掌控，因此本研究采用工艺简单的p-NiO作为栅级。研究结果表明，与Ni/Au栅极器件（常开型）相比，p-NiO栅极器件的阈值电压发生正向移动。分析结果显示，阈值电压的正向移动与NiO和AlGaN之间较高的能带偏移有关，通过拟合XPS光谱，得到NiO和AlGaN之间价带和导带的偏移为1.6eV和1.4eV（NiO薄膜的带隙为3.6 eV）。研究结果为进一步制作常关型功率器件打下了基础。

该研究工作得到了国家自然科学基金（2017YFB0403000）等的支持。

（文/科技处）